收藏本站
Si7457DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
0.08
T J = 150 °C
0.07
T A = 125 °C
10
0.06
T J = 25 °C
0.05
0.04
0.03
T A = 25 °C
1
0.02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
4
5
6
7
8
9
10
3.3
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
35
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
30
3.0
2.7
I D = 250 μA
25
20
15
2.4
10
2.1
5
1.8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by
10 R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
10 s
DC
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single Pulse
0.1
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73431
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7460DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
SI7461DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
SI7462DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
SI7465DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
SI7530DP-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC
SI7620DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
SI7625DN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI7629DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
相关代理商/技术参数
SI7458DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7459DP-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:P-Ch PowerPAK SO-8 30V 6.8mohm@10V
SI7459DPT1E3 制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free
SI7459DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7459DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7460DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7460DP_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7460DP-T1 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET